Новинка получила на 40% больше ячеек по сравнению с предыдущей девятислойной структурой. Производитель утверждает, что таким образом реализованы максимальные скорости передачи данных – скорость записи 450 микросекунд (㎲), время отклика на чтение 45 ㎲.При этом размеры чипов уменьшены.
Первые поставки накопителя уже стартовали, во второй половине 2019 года Samsung нарастит производство, а также выпустит твердотельные накопители и eUFS с использованием 512Gb V-NAND.
Обложка: Samsung